terug
Vraag 8
Het verontreinigen van silicium kan
geschieden door middel van
ionenimplantatie. Daarbij worden
aluminiumionen met grote snelheid op het
oppervlak van het silicium geschoten. We
beschouwen een aluminiumion dat met een
kinetische energie van 65 keV loodrecht het
oppervlak van het silicium treft en in het
silicium een vrijwel rechte baan doorloopt.
Zie figuur.
Het ion legt in het silicium een afstand van
570 nm af en komt dan tot stilstand.
Bereken de gemiddelde grootte van de kracht die het aluminiumion in het silicium tijdens het
afremmen ondervindt.