Een bepaalde PIN-diode wordt in de doorlaatrichting op een spanningsbron aangesloten. Hierdoor
worden vanuit het p- en het n-gebied ladingdragers in de intrinsieke zone gebracht. Recombinatie
vindt in de gehele intrinsieke zone plaats.
De stroomsterkte I in de diode bedraagt 10mA. We kunnen deze stroomsterkte I op gebouwd denken
uit een stroomsterkte Ie tengevolge van het transport van vrije elektronen en een stroomsterkte Ig
tengevolge van het transport van gaten.
1. Leg uit in welk gebied Ie de kleinste waarde heeft, in het p-gebi ed of in het n-gebied van de
PIN-diode.
2. Schets in de figuur op het antwoordpapier het verloop van Ie en Ig als functie van x. Voor de
betekenis van x: zie figuur 4.2.